Магниторезистивная оперативная память

Магниторезистивная оперативная память это запоминающее устройство на котором данные сохраняются при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Этот тип памяти является энергонезависимым, т.е. данные на нем сохраняются даже тогда, когда устройство не подключено к источнику питания.

Магнитные элементы памяти состоят из ферромагнитных слоев, которые разделяет тонкий слой диэлектрика.

Один из ферромагнитных слоев представляет собой постоянный магнит,  который намагничен в одном направлении, а у другого слоя намагниченность определяется и изменяется под действием внешнего поля. Измеряя электрическое сопротивление ячейки происходит считывание информации. Магниторезистивная оперативная память  МRAM потребляет гораздо меньше электроэнергии, чем  DRAM, а быстродействие сравнимо с  SRAM. По сравнению с флэш-памятью она не деградирует по прошествии какого-то определенного количества времени, и работает  МRAM гораздо быстрее.

Комбинация именно этих свойств делают магниторезистивную память универсальное, и возможно, по прошествии времени она заменить собой Flash, DRAM, SRAM. Это также объясняется тем, что количество исследований, проводимых с МRAM  несравненно больше, чем количество исследований направленных на изучение других видов запоминающих устройств.

На данный момент магниторезистивная память все еще, в какой-то степени, находится на стадии разработки и она еще не готова для широкого применения. Так как на данный момент на пике популярности все еще находится флэш-память, то явно еще не в скором времени появится компания, которая переведет один из своих заводов на изготовление микросхем магниторезистивной памяти.

Комментарии закрыты.